20A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F20N50

20a 500V N-canal Modo de aprimoramento de energia MOSFET

1 Descrição

Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N silicone são obtidos pela tecnologia plana auto-alinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho da comutação e aprimora a energia da avalanche. Que de acordo com o padrão ROHS. 

2 recursos 

● Comutação rápida 

● Baixa resistência (rdson≤0,3Ω) 

● Carga baixa do portão (Typ: 52NC) 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa (Tip: 16pf)

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único

● Teste 100% ΔVDS 

3 aplicações

● Utilizado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência.

● Circuito de troca de energia do adaptador e carregador.