未命名(1)(8) (1)
portão
Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
Você está aqui: Lar » Produtos
Modelo:
Pacote:
V:
UM:
LINHAS DE PRODUTOS SELECIONADAS:

Todos os produtos

de imagem de modelo Pacote V A Ficha técnica Detalhes Consulta Adicionar ao carrinho
220A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DTG025N04NA TO-220C DTG025N04NA TO-220C 40V 220A Especificação do dispositivo DTE025N04NA e DTG025N04NA Rev.1.0.pdf
170A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS010N03P DFN5X6 DHS010N03P
Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET 12A 60V DH500P06R DFN3 * 3-8 DH500P06R DFN3X3 60V 12A Especificação do dispositivo DH500P06R Rev.1.0.pdf
205A 85V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E PARA-263 85V 205A Especificação do dispositivo DHS025N88.pdf
4N60/F4N60/B4N60/D4N60
23N50D
2A 650V Modo de a D2N65 PARA-252B 650 V 2A 英文版D2N65技术规格书.pdf
30A 60V BAIXO VF SchottkyBarrierDiode MBR30R60CTS TO-220C MBR30R60CTS TO-220C 60V 30A MBR30R60CTS 技术规格书REV.1.0..pdf
Transistor bipolar de porta isolada trinchstop 50A 650V G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW PARA-247 650 V 50A G50T65LBBW__folha de dados(1)(1).pdf
F20N50/20N50B
36A 1200V canal N SIC Power MOSFET DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200 V 36A Especificação do dispositivo DCC080M120A.pdf
170A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS020N04P DFN5 * 6 DHS020N04P DFN5*6-8 40V 170A Especificação do dispositivo DHS020N04P Rev.2.0.pdf
Transistor bipolar de porta isolada trinchstop 75A 1200V DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 PARA-247PLUS 1200 V 75A DGC75F120M2__datasheet-V1.2.pdf
12A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 PARA-252B 60V 12A Especificação do dispositivo D12N06 (TO-252B).pdf
Pacote de pedágio de potência MOSFET DHS020N88U de modo de aprimoramento de canal N 240A 85V DHS020N88U PEDÁGIO 85V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
175A 80V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
15A 40V Modo de aprimoramento de canal P Power MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 PARA-252B -40V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Datasheet_V1.0.pdf
4A 700V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 TO-220F 700 V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
7A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F7N60 F7N60 TO-220F 600 V 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
8N65/F8N65

Vídeo do produto

  • Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
  • Inscreva-se em nosso boletim informativo
  • prepare-se para o futuro
    inscreva-se em nosso boletim informativo para receber atualizações diretamente em sua caixa de entrada
    Enviar
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tecnologia por leadong. com