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Semicondutor Co. de Jiangsu Donghai, Ltd
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 Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
4A 600V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
MOSFET de potência de super junção de canal N 12A 700V DJF360N70
MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 180A 68V DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
Diodo de recuperação rápida 60A 200V MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200 V 60A 英文版MUR6020BCA技术规格书Rev. 1.1.pdf
90A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40V 90A Especificação do dispositivo DH045N04.pdf
Módulo IGBT meia ponte 100A 1700V DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34mm 1700V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
90A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D PARA-252B 100V 50A Especificação do dispositivo DH045N04.pdf
80A 60V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N PARA-252B 60V 80A Dispositivo+DATD063N06N+Especificação Rev.1.0.pdf
4.8A 650V canal N Super Junction Power MOSFET DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650 V 4,8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Regulador de tensão de três terminais IC L7815 TO-220M L7815 PARA-220M 15V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
diodo de barreira sic Schottky DCC20D120G4 TO-247-3 de 20A 1200V DCC20D120G4 PARA-247 1200 V 20A Especificação do dispositivo DCC20D120G4.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Datasheet_V1.0.pdf
Transistor bipolar de porta isolada trinchstop DGC75F65M TO-247-3L de 75A 650V DGC75F65M TO-247-3L 650 V 75A DGC75F65M_datasheet-Rev1.1(2).pdf
Pacote de pedágio 135V/3,3mΩ/225A N-MOSFET DSU035N14N3 DSU035N14N3 PEDÁGIO 135V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
Diodo de recuperação rápida 40A 200V MUR4020NCT TO-3PN MUR4020NCT TO-3PN 200 V 40A 英文版MUR4020NCT-XCB技术规格书Rev. 1.0.pdf
25A 1200V transistor bipolar de porta isolada G25T120D TO-247 G25T120D PARA-247 1200 V 25A DHG25T120D英文技术规格书(TO-247).pdf
12A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650 V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
Regulador de tensão de três terminais IC L7818 TO-220M L7818 PARA-220M 18V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
 Diodo de barreira SiC Schottky 10A 650V DCE10D65G4 PARA-263 650 V 10A Especificação do dispositivo DCE10D65G4.pdf

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