未命名(1)(8) (1)
πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα
Μοντέλο:
Πακέτο:
V:
ΕΝΑ:
ΕΠΙΛΕΓΜΕΝΕΣ ΓΡΑΜΜΕΣ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ:

Όλα τα Προϊόντα

Image Model Package V A φύλλου δεδομένων Στοιχεία Ερώτηση Προσθήκη στο καλάθι
12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET B12N10/D12N10
MUR80FU40NCA TO-3PN MUR80FU40NCA
200A 40V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET D1404/FD1404/ED1404
90A 40V Λειτουργία βελτίωσης N-καναλιών Power MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 ΕΩΣ-220C 40V 90Α Προδιαγραφές συσκευής DH045N04.pdf
40V/4,0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40V 66Α DSP060N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
40V/0,85mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 PACKAGE DSE012N04NA ΤΟ-263 40V 200Α DSE012N04NA_Datasheet_V1.0.pdf
60A 300V δίοδος γρήγορης ανάκτησης MUR6030BCA TO-247S MUR6030BCA TO-247S 300V 60Α 英文版 MUR6030BCA 技术规格书REV1.1.pdf
59A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 60N10 TO-220C 60Ν10 ΕΩΣ-220C 100V 59Α Device 60N10B76 Specification(1).pdf
270A 120V N-κανάλι Ενίσχυση Λειτουργία Power MOSFET DHS044N12U ΠΑΚΕΤΟ ΔΙΔΙΩΝ DHS044N12U ΔΙΟΔΙΑ 120V 270Α DHS044N12U_Datasheet_V2.0.pdf
80A Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 60 V Power MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60V 80Α Device+DATD063N06N+Specification Rev.1.0.pdf
DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A ΤΟ-263 100V 103Α DSE065N10L3A_Datasheet_V1.0.pdf
100V/2,2mΩ/180A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A ΤΟ-263 100V 180Α DSE026N10N3A_Datasheet_V1.0.pdf
Μονάδα μισής γέφυρας 800A 1200V IGBTMmodule DGB800H120L2T DGB800H120L2T 62mm 1200V 800Α DGB800H120L2T.pdf
40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40V 82Α DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
7A 650V Λειτουργία βελτίωσης N-καναλιών Power MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650V 7Α 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
Πακέτο DSG014N04N TO-220CP DSG014N04N ΕΩΣ-220C 40V 200Α DSG014N04N_Datasheet_V1.0+.pdf
MBRF40100CT TO-220F MBRF40100CT TO-220F 100V 40Α 英文版MBRF40100CT技术规格书REV1.0(1).pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 ΕΩΣ-220C 100V 100Α DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
Πακέτο DSG019N04L TO-220C DSG019N04L ΕΩΣ-220C 40V 180Α DSG019N04L_Datasheet_V1.0.pdf
SiC Schottky Barrier Diode 10A 650V DCE10D65G4 ΤΟ-263 650V 10Α Προδιαγραφές συσκευής DCE10D65G4.pdf

Βίντεο προϊόντος

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας
    Υποτάσσομαι
Πνευματικά δικαιώματα © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com