未命名 (1) (8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
Wybrane linie produktów:

Wszystkie produkty

obrazu modelu Pakiet V A arkusza szczegółowe informacje na temat danych Dodaj do kosza
Schottkybardiode 10A 200V MBR10200CT TO-220M MBR10200CT Do-220m 200 V. 10a 英文版 MBR10200CT 技术规格书 Rev-1.1.pdf
30a 60V Schottkybarrierdiode MBR3060CT do-220m MBR3060CT Do-220m 60 V. 30a 英文版 MBR3060ct 技术规格书 Rev1.1 (1) .pdf
10A 100V Schottkybarrierdiode MBR10100CT TO-252B MBR10100CT TO-252B 100 V. 10a 英文版 MBR10100CT 技术规格书 .pdf
30A 45V niski VF Schottkybarrierdiode MBR30R45CTS To-220c MBR30R45CTS To-220C 45v 30a 英文版 MBR30R45CTS Series 技术规格书 .pdf
20A 150 V Niski VF Schottkybarrierdiode MBR20R150CT TO-220C MBR20R150CT To-220C 150 V. 20a 英文版 MBR20R150CT 技术规格书 .pdf
10a 200v Schottkybarrierdiode MBRF10R200CT Do-220f 200 V. 10a 英文版 MBRF10R200CT 技术规格书 .pdf
40a 150v Schottkybarrierdiode MBR40150CT To-263 MBR40150CT To-263 150 V. 40a 英文版 MBR40150ct 技术规格书 .pdf
4A 700 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 Do-220f 700 V. 4a 英文版 F4N70 技术规格书 (1) .pdf
7A 600 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET F7N60 F7n60 Do-220f 600V 7a 英文版 f7n60 技术规格书 .pdf
7A 800 V Tryb wzmacniający N-Kananela Moc MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 Do-220f 800 V. 7a 英文版 f7n80 技术规格书 .pdf
10a 150v Schottkybarrierdiode MBR10150CT TO-220M MBR10150CT Do-220m 150 V. 10a MBR10150ct 技术规格书 .pdf
4A 650V NEC CANLANEM MOC MOSFET F4N65 TO-220F F4N65 Do-220f 650 V. 4a 英文版 F4N65 技术规格书 MaxRev1.0.pdf
10A 800 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET F10N80 TO-220F F10N80 Do-220f 800 V. 10a 英文版 F10N80 技术规格书 .pdf
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 13A 500V F13N50 TO-220F F13N50 Do-220f 500 V. 13a 英文版 F13N50 技术规格书 R1.1.pdf
12A 600 V Tryb wzmacniający N-Kannel Moc MOSFET F12N60 TO-220F F12N60 Do-220f 600V 12a 英文版 F12N60 技术规格书 Rev1.0 (1) .pdf
23A 500 V Tryb wzmacniający kanał N MOSFET MOSFET 23N50D TO-3P 23n50d TO-3PN 500 V. 23a 英文版 23n50d 技术规格书 .pdf
8A 500 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET F8N50 TO-220F F8N50 Do-220f 500 V. 8a F8N50_DATESHEET_V1.0.PDF
10A 600 V Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET F10N60 TO-220F F10N60 Do-220f 600V 10a 英文版 F10n60 技术规格书 .pdf
20mΩ 650 V N-Kanałowa moc SIC MOSFET DCC020M65G2 TO-247 DCC020M65G2 TO-247 650 V. 92a DCC020M65G2 i DCCF020M65G2_DATASHEET_V1.0.PDF
Tryb wzmocnienia kanału N MOSFET 10A 650V 10N65 TO-220C 10n65 To-220C 650 V. 10a 英文版 10n65 技术规格书 .pdf

Wideo produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zarejestruj się w naszym biuletynie
  • Przygotuj się na przyszłą
    rejestrację na nasz biuletyn, aby uzyskać aktualizacje bezpośrednio do skrzynki odbiorczej
    Składać
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com