未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
Tryb wzmocnienia kanału N Moc MOSFET 120A 30V DH030N03B41/DH030N03FB41/ DH030N03EB41/DH030N03BB41/DH030N03DB41
4A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F4N60 TO-220F F4N60 TO-220F 600 V 4A 英文版F4N60技术规格书.pdf
N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy 12 A, 700 V DJF360N70
180A 68V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DHS026N06/DHS026N06F/DHS026N06E
Dioda szybkiego odzyskiwania 60A 200V MUR6020BCA TO-247S MUR6020BCA TO-247S 200 V 60A Wersja MUR6020BCA 技术规格书Rev. 1.1.pdf
90A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40 V 90A Specyfikacja urządzenia DH045N04.pdf
Moduł półmostkowy IGBT 100A 1700V DGA100H170M2T 34mm DGA100H170M2T 34mm 1700 V 100A DGA100H170M2T-REV1.0.pdf
90A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH045N04D TO-252B DH045N04D TO-252B 100 V 50A Specyfikacja urządzenia DH045N04.pdf
80A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60 V 80A Urządzenie+DATD063N06N+Specyfikacja Rev.1.0.pdf
4,8 A 650 V N-kanałowy superzłączowy MOSFET mocy DHFSJ5N65 TO-220F DHFSJ5N65 TO-220F 650 V 4,8A Donghai_DHFSJ5N65_Datesheet_V1.0.pdf
Trójzaciskowy regulator napięcia IC L7815 TO-220M L7815 TO-220M 15 V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Dioda barierowa Schottky'ego 20A 1200 V SiC DCC20D120G4 TO-247-3 DCC20D120G4 TO-247 1200 V 20A Specyfikacja urządzenia DCC20D120G4.pdf
120V/12mΩ/70A N-MOSFET DSG140N12N3 TO-220C DSG140N12N3 120 V 70A Donghai_DSG140N12N3&DSE140N12N3_Arkusz danych_V1.0.pdf
75A 650 V Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką Trenchstop DGC75F65M TO-247-3L DGC75F65M TO-247-3L 650 V 75A DGC75F65M_datasheet-Rev1.1(2).pdf
135 V/3,3 mΩ/225 A N-MOSFET DSU035N14N3 Pakiet płatny DSU035N14N3 MYTO 135 V 225A Donghai_DSU035N14N3_Datasheet_V2.0.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 40A 200V MUR4020NCT TO-3PN MUR4020NCT TO-3PN 200 V 40A Wersja MUR4020NCT-XCB 术规格书Rev. 1.0.pdf
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką 25A 1200 V G25T120D TO-247 G25T120D TO-247 1200 V 25A DHG25T120D英文技术规格书(TO-247).pdf
12A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 12N65 TO-220C 12N65 TO-220C 650 V 12A 英文版12N65技术规格书.pdf
Trójzaciskowy regulator napięcia IC L7818 TO-220M L7818 TO-220M 18 V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
Dioda barierowa SiC Schottky'ego 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650 V 10A Specyfikacja urządzenia DCE10D65G4.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com