未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
12N60/F12N60/E12N60
205A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS025N88 TO-263 DHS025N88E TO-263 85 V 205A Specyfikacja urządzenia DHS025N88.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 10A 700V MURF1070 TO-220F-2L MURF1070 TO-220F 700 V 10A 英文版MUR1070技术规格书.pdf
2A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D2N65 TO-252B D2N65 TO-252B 650 V 2A 英文版D2N65技术规格书.pdf
30A 60V NISKI VF Schottky'egoDioda barierowa MBR30R60CTS TO-220C MBR30R60CTS TO-220C 60 V 30A MBR30R60CTS 技术规格书REV.1.0..pdf
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką 50A, 650 V, G50T65LBBW TO-247 G50T65LBBW TO-247 650 V 50A G50T65LBBW__arkusz danych(1)(1).pdf
0,8 A 600 V tryb wzmocnienia kanału N MOSFET mocy B1N60 TO-251 B1N60 TO-251B 600 V 0,8A
36A 1200V N-kanałowy MOSFET mocy SIC DCCF080M120A2 TO-247-4L DCCF080M120A2 TO-247-4L 1200 V 36A Specyfikacja urządzenia DCC080M120A.pdf
170A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS020N04P DFN5*6 DHS020N04P DFN5*6-8 40 V 170A Specyfikacja urządzenia DHS020N04P Rev.2.0.pdf
100A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85 V 100A Specyfikacja urządzenia DH85N08.pdf
Tranzystor bipolarny z izolowaną bramką 75A 1200 V Trenchstop DGC75F120M2 TO-247PLUS DGC75F120M2 TO-247PLUS 1200 V 75A DGC75F120M2__arkusz danych-V1.2.pdf
12A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET D12N06 TO-252 D12N06 TO-252B 60 V 12A Specyfikacja urządzenia D12N06 (TO-252B).pdf
240A 85V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS020N88U TOLL pakiet DHS020N88U MYTO 85 V 285A Donghai_DHS020N88U_Datasheet_V2.0.pdf
175A 80V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS035N88 TO-220C DHS035N88 TO-220C 80 V 175A Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
15A 40V Tryb wzmocnienia kanału P Moc MOSFET AOD413 TO-252B AOD413 TO-252B -40 V -30A Donghai_AOD413&AOB413-B2E_Arkusz danych_V1.0.pdf
49A 80V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia DH116N08D TO-252B 80 V 49A Specyfikacja urządzenia DH116N08.pdf
4A 700V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F4N70 TO-220F F4N70 TO-220F 700 V 4A 英文版F4N70技术规格书(1).pdf
7A 600V N-kanałowy tryb wzmocnienia mocy MOSFET F7N60 F7N60 TO-220F 600 V 7A 英文版F7N60技术规格书.pdf
7A 800V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F7N80 TO-220F F7N80 TO-220F 800 V 7A 英文版F7N80技术规格书.pdf
4A 650V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET F4N65 TO-220F F4N65 TO-220F 650 V 4A 英文版F4N65 技术规格书MAXREV1.0.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com