未命名(1)(8) (1)
brama
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Jesteś tutaj: Dom » Produkty
Model:
Pakiet:
V:
A:
WYBRANE LINIE PRODUKTOWE:

Wszystkie produkty

Obraz Model Pakiet V A Karta katalogowa Szczegóły Zapytanie Dodaj do koszyka
12A 100V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia B12N10/D12N10
MUR80FU40NCA TO-3PN MUR80FU40NCA
200A 40V N-kanałowy MOSFET mocy w trybie wzmocnienia D1404/FD1404/ED1404
90A 40V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40 V 90A Specyfikacja urządzenia DH045N04.pdf
40V/4,0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40 V 66A DSP060N04LA_Arkusz danych_V1.0.pdf
PAKIET 40V/0,85mΩ/200A N-MOSFET DSE012N04NA TO-263 DSE012N04NA TO-263 40 V 200A DSE012N04NA_Arkusz danych_V1.0.pdf
Dioda szybkiego odzyskiwania 60A 300V MUR6030BCA TO-247S MUR6030BCA TO-247S 300 V 60A Przeczytaj MUR6030BCA 技术规格书REV1.1.pdf
59A 100 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100 V 59A Specyfikacja urządzenia 60N10B76(1).pdf
270A 120V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHS044N12U PAKIET OPŁAT DHS044N12U MYTO 120 V 270A DHS044N12U_Arkusz danych_V2.0.pdf
80A 60V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60 V 80A Urządzenie+DATD063N06N+Specyfikacja Rev.1.0.pdf
DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A TO-263 100 V 103A DSE065N10L3A_Arkusz danych_V1.0.pdf
100 V/2,2 mΩ/180 A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100 V 180A DSE026N10N3A_Arkusz danych_V1.0.pdf
Moduł półmostkowy 800A 1200 V IGBTModule DGB800H120L2T DGB800H120L2T 62 MM 1200 V 800A DGB800H120L2T.pdf
40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40 V 82A DSD065N04LA_Arkusz danych_V1.0.pdf
7A 650 V N-kanałowy tryb wzmocnienia Moc MOSFET DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650 V 7A Wersja DHD7N65 技术规格书REV1.1.pdf
DSG014N04N TO-220CPakiet DSG014N04N TO-220C 40 V 200A DSG014N04N_Arkusz danych_V1.0+.pdf
MBRF40100CT TO-220F MBRF40100CT TO-220F 100 V 40A Podręcznik MBRF40100CT 技术规格书REV1.0(1).pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100 V 100A DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
Pakiet DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40 V 180A DSG019N04L_Arkusz danych_V1.0.pdf
Dioda barierowa SiC Schottky'ego 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650 V 10A Specyfikacja urządzenia DCE10D65G4.pdf

Film o produkcie

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zapisz się na nasz newsletter
  • przygotuj się na przyszłość
    zapisz się do naszego newslettera, aby otrzymywać aktualizacje prosto na swoją skrzynkę odbiorczą
    Składać
Prawa autorskie © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technologia firmy leadong.com