未命名(1)(8) (1)
Poartă
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Sunteți aici: Acasă » Produse
Model:
Pachet:
V:
O:
LINII DE PRODUSE SELECTATE:

Toate produsele

Imagine Model Pachet V A Fișă tehnică Detalii Cerere Adaugă la coș
12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET B12N10/D12N10
MUR80FU40NCA TO-3PN MUR80FU40NCA
200A 40V N-canal de îmbunătățire mod MOSFET de putere D1404/FD1404/ED1404
90A 40V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DH045N04 TO-220C DH045N04 TO-220C 40V 90A Specificația dispozitivului DH045N04.pdf
40V/4.0mΩ/66AN-MOSFET DSP060N04LA DFN5*6 DSP060N04LA DFN5X6 40V 66A DSP060N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
PACHET N-MOSFET 40V/0,85mΩ/200A DSE012N04NA TO-263 DSE012N04NA TO-263 40V 200A DSE012N04NA_Fișă de date_V1.0.pdf
60A 300V diodă de recuperare rapidă MUR6030BCA TO-247S MUR6030BCA TO-247S 300V 60A 英文版 MUR6030BCA 技术规格书REV1.1.pdf
59A 100V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere 60N10 TO-220C 60N10 TO-220C 100V 59A Specificația dispozitivului 60N10B76(1).pdf
270A 120V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DHS044N12U PACHET TOLL DHS044N12U TAXĂ 120V 270A DHS044N12U_Fișă de date_V2.0.pdf
80A 60V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DATD063N06N TO-252B DATD063N06N TO-252B 60V 80A Dispozitiv+DATD063N06N+Specification Rev.1.0.pdf
DSE065N10L3A TO-263 DSE065N10L3A TO-263 100V 103A DSE065N10L3A_Fișă de date_V1.0.pdf
100 V/2,2 mΩ/180 A N-MOSFET DSE026N10N3A TO-263 DSE026N10N3A TO-263 100V 180A DSE026N10N3A_Fișă de date_V1.0.pdf
800A 1200V modul semi-punte IGBTModule DGB800H120L2T DGB800H120L2T 62 mm 1200V 800A DGB800H120L2T.pdf
40V/5,5mΩ/82AN-MOSFET DSD065N04LA TO-252 DSD065N04LA TO-252B 40V 82A DSD065N04LA_Datasheet_V1.0.pdf
7A 650V N-canal Mod de îmbunătățire MOSFET de putere DHD7N65 TO-252B DHD7N65 TO-252B 650V 7A 英文版DHD7N65技术规格书REV1.1.pdf
DSG014N04N TO-220CPachetul DSG014N04N TO-220C 40V 200A DSG014N04N_Fișă de date_V1.0+.pdf
MBRF40100CT TO-220F MBRF40100CT TO-220F 100V 40A 英文版MBRF40100CT技术规格书REV1.0(1).pdf
DSG070N10L3 TO-220 DSG070N10L3 TO-220C 100V 100A DSG070N10L3_Datasheet_V1.0+.pdf
Pachet DSG019N04L TO-220C DSG019N04L TO-220C 40V 180A DSG019N04L_Fișă de date_V1.0.pdf
Diodă de barieră SiC Schottky 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650V 10A Specificația dispozitivului DCE10D65G4.pdf

Video de produs

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Înscrieți-vă pentru buletinul nostru informativ
  • pregătiți-vă pentru viitorul
    înscriere la buletinul nostru informativ pentru a primi actualizări direct în căsuța dvs. de e-mail
    Trimiteți
Drepturi de autor © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Tehnologie de leadong.com