πύλη
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Είστε εδώ: Σπίτι » Προϊόντα » MOSFET » 400V-1500V N MOS » 4A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F4N70 TO-220F

φόρτωση

Κοινοποίηση σε:
κουμπί κοινής χρήσης facebook
κουμπί κοινής χρήσης twitter
κουμπί κοινής χρήσης γραμμής
κουμπί κοινής χρήσης wechat
κουμπί κοινής χρήσης linkedin
κουμπί κοινής χρήσης pinterest
κουμπί κοινής χρήσης whatsapp
κοινοποιήστε αυτό το κουμπί κοινής χρήσης

4A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F4N70 TO-220F

4A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Διαθεσιμότητα:
Ποσότητα:

4A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 Περιγραφή

Αυτά τα βελτιωμένα vdmosfets με N-κανάλια, λαμβάνονται από την αυτοευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. Το TO-220F παρέχει τάση μόνωσης με ονομαστική τάση 2000 V RMS και από τους τρεις ακροδέκτες προς την εξωτερική ψύκτρα. Η σειρά TO-220F συμμορφώνεται με τα πρότυπα UL (Αναφ. αρχείου: E252906). 


2 Χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Βελτιωμένη ικανότητα ESD 

● Χαμηλή αντίσταση (Rdson≤3,3Ω) 

● Χαμηλή φόρτιση πύλης (Τύπος: 12,7 nC) 

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς (Τύπος: 2,7 pF) 

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού 

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 


3 Εφαρμογές 

● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κυκλώματα μεταγωγής ισχύος για σμίκρυνση συστήματος και υψηλότερη απόδοση. 

● Κύκλωμα διακόπτη ισχύος έρματος ηλεκτρονίων και προσαρμογέα.


VDSS  RDS(ενεργό) (TYP) ταυτότητα 
700V 2,65Ω



Προηγούμενος: 
Επόμενος: 
  • Εγγραφείτε για το ενημερωτικό μας δελτίο
  • ετοιμαστείτε για το μέλλον
    εγγραφείτε στο ενημερωτικό μας δελτίο για να λαμβάνετε ενημερώσεις κατευθείαν στα εισερχόμενά σας