4A 700V N-kanal Forbedringstilstand Power Mosfet F4N70 TO-220F

4A 700V N-kanal Forbedringstilstand Power Mosfet

1 Beskrivelse

Disse N-kanals forbedrede VDMOSFET'er opnås ved den selvjusterede plane teknologi, der reducerer ledningstabet, forbedrer skiftestyringen og forbedrer lavine-energien. Der stemmer overens med ROHS-standarden. TO-220F giver isoleringsspænding, der er klassificeret til 2000V RMS fra alle tre terminaler til ekstern køleplade. TO-220F-serien overholder UL-standarder (File Ref: E252906). 

2 funktioner

● Hurtig skift 

● ESD forbedret kapacitet 

● Low On Resistance (Rdson≤3,3Ω) 

● Lav gateopladning (TYP: 12.7NC) 

● Lav omvendt overførselskapacitanser (TYP: 2,7PF) 

● 100% enkelt puls -lavine energitest 

● 100% ΔVDS -test 

3 applikationer 

● Brugt i forskellige strømafbryderkredsløb til systeminiaturisering og højere effektivitet. 

● Strækkontaktkredsløb for elektronballast og adapter.