4A 700V N-channel Enhancing Mode Power MOSFET F4N70 TO-220F

4A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Penerangan

Vdmosfet dipertingkatkan saluran-N ini, diperolehi oleh teknologi satah sejajar sendiri yang mengurangkan kehilangan pengaliran, meningkatkan prestasi pensuisan dan meningkatkan tenaga salji. Yang menurut piawaian RoHS.TO-220F menyediakan voltan penebat berkadar pada 2000V RMS daripada ketiga-tiga terminal ke heatsink luaran. Siri TO-220F mematuhi piawaian UL (Ruj fail:E252906). 

2 Ciri

● Penukaran pantas 

● ESD meningkatkan keupayaan 

● Rintangan rendah (Rdson≤3.3Ω) 

● Caj pintu rendah (Jenis: 12.7nC) 

● Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah (Jenis: 2.7pF) 

● 100% ujian tenaga salji nadi tunggal 

● 100% ujian ΔVDS 

3 Aplikasi 

● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengecilan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi. 

● Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.

VDSS	RDS(on)（TYP)	ID
700V	2.65Ω	4A