4A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET F4N70 TO-220F

4A 700V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն

Այս N-ալիքով ուժեղացված vdmosfets-ը ստացվում է ինքնահաստատված հարթ տեխնոլոգիայի միջոցով, որը նվազեցնում է հաղորդման կորուստը, բարելավում է անջատման աշխատանքը և բարձրացնում ավալանշի էներգիան: Ինչը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: TO-220F-ն ապահովում է մեկուսացման լարում, որը գնահատվում է 2000 Վ RMS բոլոր երեք տերմինալներից մինչև արտաքին ջերմատախտակ: TO-220F շարքերը համապատասխանում են UL ստանդարտներին (Ֆայլի հղում՝ E252906): 

2 Հատկանիշներ

● Արագ միացում 

● ESD բարելավված կարողություն 

● Ցածր դիմադրություն (Rdson≤3.3Ω) 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 12,7 nC) 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ (տեսակը՝ 2,7 pF) 

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ 

3 Դիմումներ 

● Օգտագործվում է էներգիայի միացման տարբեր սխեմաներում համակարգի մանրացման և ավելի բարձր արդյունավետության համար: 

● Էլեկտրոնային բալաստի և ադապտորի հոսանքի անջատիչի միացում:

VDSS	RDS (միացված) (TYP)	ID
700 Վ	2,65 Ω	4Ա