4A 700V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET
1 Description
Haec N-canali vdmosfets aucta, a technologia planaria auto-aligna facta, quae conductionem damnum minuunt, emendae commutationes perficiendi et NIVIS energiae augendae. Quae cum RoHS standard.TO-220F consentaneum praebet voltage insulationem in 2000V RMS aestimatam praebet ab omnibus tribus terminalibus ad aestus externos. TO-220F series signa UL parere (File ref:E252906).
2 Features
Fast commutatione
ESD melius facultatem
● Minimum resistente (Rdson≤3.3Ω)
● Praefectum portae Minimum (Typ: 12.7nC)
Minimum contra facultates translationis (Typ: 2.7pF)
C% unius pulsus NIVIS industria test
C% VDS test
III Applications
● In variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae altioris adhibitum.
● Potestas transiens ambitum electronico adprehensis et adaptor.
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 700V |
2.65Ω |
4A |