gerbang
Jiangsu Donghai Semikonduktor Co, Ltd
Anda di sini: Rumah » Produk » MOSFET » 400V-1500V N MOS » Mode Peningkatan Saluran-N 4A 700V MOSFET Daya F4N70 TO-220F

memuat

Bagikan ke:
tombol berbagi facebook
tombol berbagi twitter
tombol berbagi baris
tombol berbagi WeChat
tombol berbagi tertaut
tombol berbagi pinterest
tombol berbagi whatsapp
bagikan tombol berbagi ini

Mode Peningkatan Saluran N 4A 700V MOSFET Daya F4N70 TO-220F

Mode Peningkatan Saluran N 4A 700V MOSFET Daya
Ketersediaan:
Kuantitas:

4A 700V N-channel Mode Peningkatan Daya MOSFET


1 Deskripsi

Vdmosfet yang ditingkatkan saluran-N ini, diperoleh dengan teknologi planar penyelarasan mandiri yang mengurangi kehilangan konduksi, meningkatkan kinerja peralihan, dan meningkatkan energi longsoran salju. Yang sesuai dengan standar RoHS.TO-220F memberikan tegangan isolasi pada 2000V RMS dari ketiga terminal ke heatsink eksternal. Seri TO-220F mematuhi standar UL (File ref:E252906). 


2 Fitur

● Peralihan cepat 

● ESD meningkatkan kemampuan 

● Resistansi rendah (Rdson≤3.3Ω) 

● Biaya gerbang rendah (Tipe: 12,7nC) 

● Kapasitansi transfer balik rendah (Tipe: 2,7pF) 

● 100% uji energi longsoran pulsa tunggal 

● Tes ΔVDS 100%. 


3 Aplikasi 

● Digunakan di berbagai rangkaian peralihan daya untuk miniaturisasi sistem dan efisiensi yang lebih tinggi. 

● Rangkaian saklar daya pemberat elektron dan adaptor.


VDSS  RDS(aktif)(TYP) PENGENAL 
700V 2,65Ω 4A



Sebelumnya: 
Berikutnya: 
  • Mendaftarlah untuk buletin kami
  • bersiaplah untuk masa depan,
    daftarlah ke buletin kami untuk mendapatkan pembaruan langsung ke kotak masuk Anda