4A 700V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET F4N70 TO-220F

4A 700V N-kanaalverbeteringsmodus Vermogens-MOSFET

1 Beschrijving

Deze N-kanaal verbeterde vdmosfets worden verkregen door de zelfuitlijnende planaire technologie die het geleidingsverlies vermindert, de schakelprestaties verbetert en de lawine-energie vergroot. Dit komt overeen met de RoHS-norm. TO-220F biedt een isolatiespanning van 2000 V RMS van alle drie de aansluitingen naar het externe koellichaam. TO-220F-serie voldoet aan de UL-normen (dossierreferentie: E252906). 

2 Kenmerken

● Snel schakelen 

● ESD verbeterde mogelijkheden 

● Lage weerstand (Rdson≤3.3Ω) 

● Lage poortlading (typ: 12,7 nC) 

● Lage omgekeerde overdrachtcapaciteiten (Typ: 2,7pF) 

● 100% lawine-energietest met enkele puls 

● 100% AVDS-test 

3 toepassingen 

● Gebruikt in verschillende stroomschakelcircuits voor systeemminiaturisatie en hogere efficiëntie. 

● Stroomschakelaarcircuit van elektronenballast en adapter.

VDSS	RDS(aan)（TYP)	Identiteitskaart
700V	2,65 Ω	4A