4A 700V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET F4N70 TO-220F

4A 700V N-kanalförbättringsläge Power MOSFET

1 Beskrivning

Dessa N-kanal förbättrade VDMOSFET: er erhålls av den självjusterade plana tekniken som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestanda och förbättrar lavinenergin. Som överensstämmer med ROHS-standarden.to-220F ger isoleringsspänning klassad vid 2000V RMS från alla tre terminalerna till extern kylfläns. TO-220F-serien uppfyller UL-standarder (File Ref: E252906). 

2 funktioner

● Snabbbrytning 

● ESD förbättrad förmåga 

● Låg motstånd (RDSON≤3,3Ω) 

● Låg grindavgift (typ: 12,7nc) 

● Låg omvänd överföringskapacitanser (typ: 2.7pf) 

● 100% enkelpuls snöskredsenergitest 

● 100% ΔVDS -test 

3 applikationer 

● Används i olika strömbrytarkrets för systemminiatyrisering och högre effektivitet. 

● Strömbrytare för elektronballast och adapter.