4A 700V N-kanals förbättringsläge Power MOSFET F4N70 TO-220F

4A 700V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivning

Dessa N-kanals förbättrade vdmosfets, erhålls av den självjusterade plana teknologin som minskar ledningsförlusten, förbättrar växlingsprestandan och förbättrar lavinenergin. Vilket överensstämmer med RoHS-standarden.TO-220F ger en isoleringsspänning på 2000V RMS från alla tre terminalerna till extern kylfläns. TO-220F-serien överensstämmer med UL-standarder (Referens:E252906). 

2 funktioner

● Snabb växling 

● ESD förbättrad kapacitet 

● Lågt motstånd (Rdson≤3,3Ω) 

● Låg grindladdning (typ: 12,7nC) 

● Låga omvända överföringskapacitanser (typ: 2,7pF) 

● 100 % enkelpuls lavinenergitest 

● 100 % ΔVDS-test 

3 Applikationer 

● Används i olika kraftomkopplingskretsar för systemminiatyrisering och högre effektivitet. 

● Strömbrytarkrets för elektronballast och adapter.

VDSS	RDS(på)(TYP)	ID
700V	2,65Ω	4A