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DHS020N04P
Wxdh
DFN5*6-8
40V
170a
170A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET
1 Descrição
Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
2 recursos
● baixa resistência
● Baixa carga do portão
● Comutação rápida
● Capacitâncias de transferência reversa baixa
● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único
● Teste 100% ΔVDS
3 aplicações
● Retificação síncrona no SMPS
● Comutação dura e circuito de alta velocidade
● Ferramentas elétricas
● UPS
● Controle do motor
Vceds | Rds (on) (Typ) | EU IA |
40V | 1.3mΩ | 170a |
170A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET
1 Descrição
Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
2 recursos
● baixa resistência
● Baixa carga do portão
● Comutação rápida
● Capacitâncias de transferência reversa baixa
● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único
● Teste 100% ΔVDS
3 aplicações
● Retificação síncrona no SMPS
● Comutação dura e circuito de alta velocidade
● Ferramentas elétricas
● UPS
● Controle do motor
Vceds | Rds (on) (Typ) | EU IA |
40V | 1.3mΩ | 170a |