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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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170A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHS020N04P DFN5*6

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
Disponibilidade:
Quantidade:

170A 40V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET


1 Descrição 

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS. 


2 recursos 

● baixa resistência

● Baixa carga do portão 

● Comutação rápida 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa 

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único

● Teste 100% ΔVDS 


3 aplicações 

● Retificação síncrona no SMPS

● Comutação dura e circuito de alta velocidade 

● Ferramentas elétricas 

● UPS 

● Controle do motor


Vceds Rds (on) (Typ) EU IA
40V 1.3mΩ 170a


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