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170A 40V Modalità di miglioramento N-Canale Mosfet DHS020N0N04P DFN5*6

Questi MOSFET di potenza in modalità di miglioramento del canale N hanno utilizzato la progettazione della tecnologia di trincea a splite avanzate, hanno fornito eccellenti RDON e bassa carica di gate. Che accorda con lo standard ROHS.
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170A 40V N-Canale Modalità di miglioramento Mosfet di potenza


1 Descrizione 

Questi MOSFET di potenza in modalità di miglioramento del canale N hanno utilizzato la progettazione della tecnologia di trincea a splite avanzate, hanno fornito eccellenti RDON e bassa carica di gate. Che accorda con lo standard ROHS. 


2 caratteristiche 

● Resistenza bassa

● Carica a basso gate 

● commutazione rapida 

● Capacità di trasferimento inverse basse 

● Test di energia a valanga a impulsi singolo 100%

● Test al 100% ΔVDS 


3 applicazioni 

● Rettifica sincrona negli SMP

● Commutazione dura e circuito ad alta velocità 

● Strumenti elettrici 

● UPS 

● Controllo del motore


VCE RDS (ON) (tip) ID
40v 1,3 MΩ 170a


scaricamento Dispositivo DHS020N04P Specifica Rev.2.0.pdf

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