未命名 (1) (8) (1)
ประตู
บริษัท JIANGSU DONGHAI SEMICODUCTOR CO. , LTD
คุณอยู่ที่นี่: บ้าน » สินค้า » Mosfet » 12v-300v n mos » 170a 40v n-channel โหมดการปรับปรุงพลังงาน mosfet dhs020n04p dfn5*6

การโหลด

แบ่งปันไปที่:
ปุ่มแบ่งปัน Facebook
ปุ่มแบ่งปัน Twitter
ปุ่มแชร์สาย
ปุ่มแบ่งปัน weChat
ปุ่มแบ่งปัน LinkedIn
ปุ่มแชร์ Pinterest
ปุ่มแบ่งปัน whatsapp
ปุ่มแชร์แชร์

170A 40V N-Channel Mode Power MOSFET DHS020N04P DFN5*6

โหมดการปรับปรุง N-Channel Mosfets เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องน้ำเกต Splite ขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
ความพร้อม:
ปริมาณ:
สอบถาม เพิ่มลงในตะกร้า

170A 40V N-Channel Mode Power MOSFET


1 คำอธิบาย 

โหมดการปรับปรุง N-Channel Mosfets เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องน้ำเกต Splite ขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS 


2 คุณสมบัติ 

●ความต้านทานต่ำ

●ประจุประตูต่ำ 

●การสลับอย่างรวดเร็ว 

●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ 

●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%

●การทดสอบ 100% ΔVDS 


3 แอปพลิเคชัน 

●การแก้ไขแบบซิงโครนัสใน SMPS

●การสลับยากและวงจรความเร็วสูง 

●เครื่องมือไฟฟ้า 

● UPS 

●การควบคุมมอเตอร์


VCES RDS (ON) (TYP) รหัสประจำตัว
40V 1.3mΩ 170a


การดาวน์โหลด อุปกรณ์ DHS020N04P ข้อมูลจำเพาะ rev.2.0.pdf

ก่อนหน้า: 
ต่อไป: 
170A 40V N-Channel Mode Power MOSFET
  • บริษัท JIANGSU DONGHAI SEMICODUCTOR CO. , LTD
  • ลงทะเบียนเพื่อรับจดหมายข่าวของเรา
  • เตรียมพร้อมสำหรับ
    การลงทะเบียนในอนาคตเพื่อรับจดหมายข่าวของเราเพื่อรับการอัปเดตโดยตรงไปยังกล่องจดหมายของคุณ
    ส่ง
ลิขสิทธิ์© 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co. , Ltd Technology โดย leadong.com