MOSFET Daya Mode Peningkatan Saluran N 170A 40V
1 Deskripsi
MOSFET daya mode peningkatan saluran-N ini menggunakan desain teknologi parit gerbang terpisah yang canggih, memberikan Rdson yang sangat baik dan muatan gerbang yang rendah. Yang sesuai dengan standar RoHS.
2 Fitur
● Resistensinya rendah
● Biaya gerbang rendah
● Peralihan cepat
● Kapasitansi transfer balik yang rendah
● 100% uji energi longsoran pulsa tunggal
● Tes ΔVDS 100%.
3 Aplikasi
● Perbaikan sinkron di SMPS
● Peralihan sulit dan sirkuit kecepatan tinggi
● Perkakas listrik
● UPS
● Kontrol motorik
| Vces |
RDS(aktif) (TYP) |
PENGENAL |
| 40V |
1,3mΩ |
170A |