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Modo de aprimoramento de canal N Power MOSFET 18N20/F18N20/I18N20/E18N20/B18N20/D18N20
68V/7,2mΩ/80A N-MOSFET DTD080N07N TO-252B DTD080N07N PARA-252B 68 V 80A Donghai_DTD080N07N_Datasheet_V1.0.pdf
Regulador de tensão de três terminais IC L7810 TO-220M L7810 PARA-220M 10V 8mA 英文版L78XX技术规格书.pdf
40V/4,5mΩ/40A N-MOSFET DSR070N04LA DSR070N04LA
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200 V 110A Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
50A 30V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET DHD50N03 TO-252B DHD50N03 PARA-252B 30V 50A Donghai_DHB50N03&DHD50N03_Datasheet_V1.0.pdf
14A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650 V 14A 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
150V/9,5mΩ/52A N-MOSFET DHS110N15F TO-220F DHS110N15F TO-220F 150 V 52A Donghai+DHS110N15F+Folha de dados+V1.0.pdf
18A 500V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500 V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 PARA-263 80V 180A Especificação do dispositivo DH8004 (2).pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E PARA-263 100 V 110A Especificação do dispositivo DHS052N10.pdf
4.5A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F5N65C TO-220F F5N65C TO-220F 650 V 4,5A 英文版F5N65C技术规格书REV1.1.pdf
Pacote do transistor de silicone epitaxial NPN TIP122 TO-220M DICA 127 PARA-220M -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
Pacote do transistor de silicone epitaxial NPN TIP122 TO-220M DICA 122 PARA-220M 100 V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A Especificação do dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
-30A -100V Modo de aprimoramento de canal P MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD PARA-252B -100V -30A Especificação do dispositivo DH100P30CB1Q.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100 V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
Modo de aprimoramento de canal N Potência MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E PARA-263 85V 120A Especificação do dispositivo DHS045N88-Rev.1.0.pdf
Módulo IGBT de meia ponte 100A 650V módulo DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34mm 650 V 100A DGA100H65M2T.pdf
18A 650V transistor bipolar de porta isolada DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650 V 18A Especificação do dispositivo DHG20T65D (TO-220F).pdf

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