4.5A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET F5N65C TO-220F

4.5A 650V Modo de aprimoramento de canal N MOSFET de potência

1 Descrição 

Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia planar autoalinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia da avalanche. O que está de acordo com o padrão RoHS. 

2 recursos 

● Troca rápida 

● Capacidade aprimorada de ESD 

● Baixa resistência ON (Rdson≤2,8Ω) 

● Carga de porta baixa (dados típicos: 14,5nC) 

● Baixas capacitâncias de transferência reversa (típica: 3,5pF) 

● Teste de energia de avalanche de pulso único 100% 

● Teste ΔVDS 100% 

3 aplicações 

● usado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência. 

● Circuito de alimentação do reator eletrônico e adaptador.

VDSS	RDS(ligado)(TYP)	EU IA
650 V	2,4Ω	4,5A