ความพร้อมใช้งาน: | |
---|---|
ปริมาณ: | |
F5N65C
wxdh
ถึง 220F
650V
4.5A
4.5A 650V N-Channel Enhancement MoSFET MOSFET
1 คำอธิบาย
N-Channel เหล่านี้ได้รับการปรับปรุง VDMOSFETS ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบที่ได้รับการจัดแนวด้วยตนเองซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับและเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความสามารถที่ดีขึ้นของ ESD
●ความต้านทานต่ำ (rdson≤2.8Ω)
●ประจุเกตต่ำ (ข้อมูลทั่วไป: 14.5nc)
●ความสามารถในการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำ (ทั่วไป: 3.5pf)
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
3 แอปพลิเคชัน
●ใช้ในวงจรสวิตช์พลังงานที่หลากหลายสำหรับการย่อขนาดของระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น
●วงจรสวิตช์ไฟของอิเล็กตรอนบัลลาสต์และอะแดปเตอร์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
650V | 2.4Ω | 4.5A |
4.5A 650V N-Channel Enhancement MoSFET MOSFET
1 คำอธิบาย
N-Channel เหล่านี้ได้รับการปรับปรุง VDMOSFETS ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบที่ได้รับการจัดแนวด้วยตนเองซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับและเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS
2 คุณสมบัติ
●การสลับอย่างรวดเร็ว
●ความสามารถที่ดีขึ้นของ ESD
●ความต้านทานต่ำ (rdson≤2.8Ω)
●ประจุเกตต่ำ (ข้อมูลทั่วไป: 14.5nc)
●ความสามารถในการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำ (ทั่วไป: 3.5pf)
●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%
●การทดสอบ 100% ΔVDS
3 แอปพลิเคชัน
●ใช้ในวงจรสวิตช์พลังงานที่หลากหลายสำหรับการย่อขนาดของระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น
●วงจรสวิตช์ไฟของอิเล็กตรอนบัลลาสต์และอะแดปเตอร์
VDSS | RDS (ON) (TYP) | รหัสประจำตัว |
650V | 2.4Ω | 4.5A |