4.5A 650V N-saluran Mod Peningkatan Kuasa MOSFET
1 Penerangan
VDMOSFET Dipertingkatkan saluran N ini, diperolehi oleh teknologi satah sejajar sendiri yang mengurangkan kehilangan pengaliran, meningkatkan prestasi pensuisan dan meningkatkan tenaga salji. Yang sesuai dengan piawaian RoHS.
2 Ciri
● Penukaran Pantas
● Keupayaan ESD Dipertingkat
● Rintangan HIDUP Rendah (Rdson≤2.8Ω)
● Caj Pintu Rendah (Data Biasa: 14.5nC)
● Kapasitan Pemindahan Songsang Rendah (Lazim:3.5pF)
● 100% Ujian Tenaga Avalanche Pulse Tunggal
● 100% ΔUjian VDS
3 Aplikasi
● digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengecilan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.
● Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 650V |
2.4Ω |
4.5A |