Ketersediaan: | |
---|---|
Kuantiti: | |
F5N65C
WXDH
TO-220F
650V
4.5a
4.5A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
Ini saluran N-saluran yang dipertingkatkan, diperolehi oleh teknologi planar self-selaras yang mengurangkan kehilangan konduksi, meningkatkan prestasi beralih dan meningkatkan tenaga longsor. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Pertukaran cepat
● Keupayaan ESD yang lebih baik
● Rendah terhadap rintangan (RDSON ≤2.8Ω)
● Caj Gate Rendah (Data Tipikal: 14.5NC)
● Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah (tipikal: 3.5pf)
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
3 aplikasi
● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengurangan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.
● Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
650V | 2.4Ω | 4.5a |
4.5A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 Penerangan
Ini saluran N-saluran yang dipertingkatkan, diperolehi oleh teknologi planar self-selaras yang mengurangkan kehilangan konduksi, meningkatkan prestasi beralih dan meningkatkan tenaga longsor. Yang sesuai dengan standard ROHS.
2 ciri
● Pertukaran cepat
● Keupayaan ESD yang lebih baik
● Rendah terhadap rintangan (RDSON ≤2.8Ω)
● Caj Gate Rendah (Data Tipikal: 14.5NC)
● Kapasiti pemindahan terbalik yang rendah (tipikal: 3.5pf)
● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%
● Ujian 100% Δvds
3 aplikasi
● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengurangan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.
● Litar suis kuasa balast elektron dan penyesuai.
VDSS | Rds (on) (typ) | Id |
650V | 2.4Ω | 4.5a |