4.5A 650V N-alveus Enhancement Modus Power MOSFET F5N65C TO-220F

4.5A 650V N-canale Enhancement Modus Power MOSFET

1 Description 

Haec N-canali Consectetur VDMOSFETs, technologiae planae auto-aligned, quae damnum conductionis minuit, emendare mutandi effectum et augere NIVIS industriam. Quod congruit cum RoHS vexillum. 

2 Features 

Fast Switching 

ESD Improved Capability 

Minimum DE Resistentia (Rdson≤2.8Ω) 

● Porta Low præcipe (Typical Data: 14.5nC) 

Low Reverse Transfer Capacitances (Typical: 3.5pF) 

C% Singulus Pulsus NIVIS Energy Test 

C% VDS Test 

III Applications 

● in variis potentiae mutandi circuitionibus ad systema miniaturizationis et efficientiae superioris adhibita. 

● Potestas transiens ambitum electronico adprehensis et adaptor.

VDSS	RDS(on)(TYP)	ID
650V	2.4Ω	4.5A