4.5A 650V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET F5N65C TO-220F

4.5A 650V N-ሰርጥ ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET

1 መግለጫ 

እነዚህ የኤን-ቻናል የተሻሻለ VDMOSFETs፣ በራስ ተሰልፈው በተዘጋጀው የፕላን ቴክኖሎጂ የተገኙ ሲሆን ይህም የማስተላለፊያ መጥፋትን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የጎርፍ አደጋን ይጨምራል። የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል። 

2 ባህሪያት 

● ፈጣን መቀያየር 

● ESD የተሻሻለ ችሎታ 

● ዝቅተኛ ተቃውሞ(Rdson≤2.8Ω) 

● ዝቅተኛ በር ክፍያ (የተለመደ ውሂብ፡14.5nC) 

● ዝቅተኛ የማስተላለፊያ አቅም (የተለመደ፡3.5pF) 

● 100% ነጠላ የpulse Avalanche የኃይል ሙከራ 

● 100% ΔVDS ሙከራ 

3 መተግበሪያዎች 

● በተለያዩ የኃይል መቀያየርን ወረዳዎች ውስጥ ጥቅም ላይ የሚውለው ለስርዓት አነስተኛነት እና ከፍተኛ ብቃት። 

● የኤሌክትሮን ባላስት እና አስማሚ የኃይል መቀየሪያ ዑደት።

ቪዲኤስኤስ	RDS(በርቷል)(TYP)	መታወቂያ
650 ቪ	2.4Ω	4.5A