elérhetőség: | |
---|---|
Mennyiség: | |
F5N65C
WXDH
220F
650 V -os
4.5a
4.5a 650 V N-csatornás javítási mód Power MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤2,8Ω)
● Alacsony kapu töltés (tipikus adatok: 14,5 nc)
● Alacsony fordított transzfer kapacitások (tipikus: 3,5pf)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
650 V -os | 2,4Ω | 4.5a |
4.5a 650 V N-csatornás javítási mód Power MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤2,8Ω)
● Alacsony kapu töltés (tipikus adatok: 14,5 nc)
● Alacsony fordított transzfer kapacitások (tipikus: 3,5pf)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre.
VDSS | Rds (be) (typ) | Személyazonosság |
650 V -os | 2,4Ω | 4.5a |