4,5A 650V N-csatornás továbbfejlesztett üzemmód MOSFET F5N65C TO-220F

4.5A 650V N-csatornás továbbfejlesztett mód MOSFET

1 Leírás 

Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önbeálló síktechnológia biztosítja, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és növeli a lavina energiáját. Ami megfelel a RoHS szabványnak. 

2 Jellemzők 

● Gyors váltás 

● Továbbfejlesztett ESD képesség 

● Alacsony bekapcsolási ellenállás (Rdson≤2,8Ω) 

● Alacsony kaputöltés (tipikus adat: 14,5 nC) 

● Alacsony fordított átviteli kapacitás (tipikus: 3,5 pF) 

● 100%-os egyimpulzusos lavina energiateszt 

● 100% ΔVDS teszt 

3 Alkalmazások 

● különféle teljesítménykapcsoló áramkörökben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyság érdekében. 

● Elektron ballaszt és adapter tápkapcsoló áramköre.

VDSS	RDS(be)(TYP)	ID
650V	2,4Ω	4,5A