4.5A 650V N-channel မြှင့်တင်မုဒ် ပါဝါ MOSFET F5N65C TO-220F

4.5A 650V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET

1 ဖော်ပြချက် 

ဤ N-channel Enhanced VDMOSFETs များသည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်၊ switching performance ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကို မြှင့်တင်ပေးသော self-aligned planar နည်းပညာဖြင့် ရရှိပါသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။ 

အင်္ဂါရပ် ၂ ခု 

● အမြန်ပြောင်းခြင်း။ 

● ESD စွမ်းရည်မြှင့်တင်ထားသည်။ 

● ခုခံမှုနည်းသည်(Rdson≤2.8Ω) 

● Low Gate Charge (ပုံမှန်ဒေတာ-14.5nC) 

● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်(ပုံမှန်-3.5pF) 

● 100% Single Pulse Avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု 

● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု 

3 လျှောက်လွှာများ 

● စနစ်အသေးစားပြုလုပ်ခြင်းနှင့် ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် အမျိုးမျိုးသော ပါဝါ switching circuit များတွင် အသုံးပြုသည်။ 

● အီလက်ထရွန်ဘလတ်စ်နှင့် အဒက်တာ၏ ပါဝါခလုတ်ပတ်လမ်း။

VDSS	RDS(ဖွင့်)(TYP)	အမှတ်သညာ
650V	2.4Ω	4.5A