4.5A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
1 تفصیل
یہ N-channel Enhanced VDMOSFETs، خود سے منسلک پلانر ٹیکنالوجی کے ذریعے حاصل کیے گئے ہیں جو ترسیل کے نقصان کو کم کرتے ہیں، سوئچنگ کی کارکردگی کو بہتر بناتے ہیں اور برفانی تودے کی توانائی کو بڑھاتے ہیں۔ جو RoHS معیار کے مطابق ہے۔
2 خصوصیات
● تیز سوئچنگ
● ESD بہتر صلاحیت
● کم آن مزاحمت (Rdson≤2.8Ω)
● کم گیٹ چارج (عام ڈیٹا:14.5nC)
● کم ریورس ٹرانسفر کیپیسیٹینس (عام: 3.5pF)
● 100% سنگل پلس ایوالنچ انرجی ٹیسٹ
● 100 ٪ ΔVDS ٹیسٹ
3 درخواستیں
● نظام کے چھوٹے بنانے اور اعلی کارکردگی کے لیے مختلف پاور سوئچنگ سرکٹ میں استعمال کیا جاتا ہے۔
● الیکٹران بیلسٹ اور اڈاپٹر کا پاور سوئچ سرکٹ۔
| وی ڈی ایس ایس |
RDS(آن)(TYP) |
ID |
| 650V |
2.4Ω |
4.5A |