未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

Всі продукти

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
50A 120V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D ТО-252Б 120В 50А Специфікація пристрою DH150N12.pdf
P-канальний режим підвищення потужності MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB ТО-251Б 100В 30А
10A 700V Діод швидкого відновлення MURF1070 TO-220F-2L MURF1070 ТО-220Ф 700В 10А 英文版MUR1070技术规格书.pdf
20A 100V бар'єрний діод Шотткі MBR20100CT TO-252 MJD122 ТО-252 100В 5А 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
40A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 ТО-252Б 30В 40А Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
47A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100В 47A Специфікація пристрою DH135N10P.pdf
12A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D ТО-252Б 100В 12А Специфікація пристрою DH850N10D (1).pdf
140A 40V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 ДФН5х6-8л 40В 140А Специфікація пристрою DHP035N04.pdf
175A 80V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS035N88E TO-263 DHS035N88E ТО-263 80В 175А Donghai_DHS035N88&DHS035N88E&DHS035N88I_DataSheet_V2.0.pdf
500 В/5 А Напівмостовий IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF СОП-11 500В 5А Donghai_DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
100A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 ДО-220С 85В 100А Специфікація пристрою DH85N08.pdf
450A 1200V Напівмостовий модуль IGBTModule DGB450H120L2T 62 мм DGB450H120L2T 62 мм 1200В 450А DGB450H120L2T-REV1.1.pdf
25A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 ДО-220С 30В 150А Специфікація пристрою DH025N03.pdf
120A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30В 120А Специфікація пристрою DH025N03P(1)(1).pdf
60A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P ДФН5*6-8 70В 56А Donghai_DH105N07P_Таблиця даних_V1.0 (1).pdf
49A 80V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH116N08D ТО-252Б 80В 49A Специфікація пристрою DH116N08.pdf
TRIAC серії 600V/800V 4A BT134-600E TO-126 BT134-600E ТО-126 600В/800В 4А 英文版BT134-126技术规格书.pdf
30A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 ТО-252Б 60В 30А Специфікація пристрою DHZ24B31.pdf
10A 400V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F740 TO-220F F740 ТО-220Ф 400В 10А Специфікація пристрою 740.pdf
20A 100V бар'єрний діод Шотткі MBR20100CT TO-252 MBR20100CT ТО-252 100В 20А 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf

Відео продукту

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторські права © 2023​​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com