未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

Всі продукти

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
TRIAC серії 600V/800V 4A BT134-600E TO-126 BT134-600E ТО-126 600В/800В 4А 英文版BT134-126技术规格书.pdf
30A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 ТО-252Б 60В 30А Специфікація пристрою DHZ24B31.pdf
10A 400V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET F740 TO-220F F740 ТО-220Ф 400В 10А Специфікація пристрою 740.pdf
20A 100V бар'єрний діод Шотткі MBR20100CT TO-252 MBR20100CT ТО-252 100В 20А 英文版MBR20100CT技术规格书.pdf
1200 В/16 мОм/110 A SiC MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 ТО-247-4Л 1200В 110А Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
14A 650V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 ТО-220С 650В 14А 英文版14N65技术规格书AY3(1).pdf
18A 500V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D ТО-3ПН 500В 18А 英文版18N50D技术规格书.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 ТО-263 80В 180А Специфікація пристрою DH8004 (2).pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E ТО-263 100В 110А Специфікація пристрою DHS052N10.pdf
Епітаксіальний кремнієвий транзистор NPN TIP122 TO-220M ПОРАДА127 ТО-220М -100В -5А 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
Епітаксіальний кремнієвий транзистор NPN TIP122 TO-220M ПОРАДА122 ТО-220М 100В 5А 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 ТО-220С 85В 120А Пристрій DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf
4N65/F4N65/B4N65/D4N65
-30A -100V P-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD ТО-252Б -100В -30А Специфікація пристрою DH100P30CB1Q.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F ТО-220Ф 100В 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E ТО-263 85В 120А Пристрій DHS045N88 Specification-Rev.1.0.pdf
100A 650V Напівмостовий модуль IGBT модуль DGA100H65M2T 34 мм DGA100H65M2T 34 мм 650В 100А DGA100H65M2T.pdf
Біполярний транзистор з ізольованим затвором 18A 650V DHG20T65D TO-220F DHG20T65D ТО-220Ф 650В 18А Специфікація пристрою DHG20T65D (TO-220F).pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D ТО-252Б 100В 110А Специфікація пристрою DHS052N10.pdf
N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F ТО-220Ф 100В 110А Специфікація пристрою DHS052N10.pdf

Відео продукту

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com