未命名(1)(8) (1)
ворота
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ви тут: додому » Продукти
модель:
пакет:
V:
A:
ВИБРАНІ ПРОДУКЦІЙНІ ЛІНІЇ:

Всі продукти

Зображення Модель Пакет V A Таблиця даних Деталі Запит Додати до кошика
9A 900V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET 9N90B TO-247 9N90B ТО-247 900В 9А 英文版9N90B技术规格书REV1.0(1).pdf
75A 100V P-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH100P70 ДО-220С 100В 80А Специфікація пристрою DH100P70.pdf
105A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D ТО-252Б 68В 95А Donghai+DHS055N07B&DHS055N07D+Технічні дані+V2.0 .pdf
68A 1200V N-канальний SIC Power MOSFET DCC040M170G2 ТО-247-3 1700В 67A Donghai_DCC040M170G2_Datasheet_V1.0(1).pdf
36A 1200V N-канальний SIC Power MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 ТО-247 1700В 37A Donghai_DCC080M170G2_Datasheet_V1.0.pdf
238A 60V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E ТО-263 60В 238A Специфікація пристрою DH026N06.pdf
80A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E ТО-263 68В 80А Специфікація пристрою DH072N07.pdf
F8N70
30A 100V Бар'єрний діод Шотткі TO-220F MBRF30100CT MBRF30100CT ТО-220Ф 100В 30А 英文版MBRF30100CT技术规格书REV1.1.pdf
80A 68V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D ТО-252Б 68В 80А Специфікація пристрою DH072N07.pdf
100A 30V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D ТО-252Б 30В 100А Специфікація пристрою DH033N03(1).pdf
110A 85V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E ТО-263 85В 110А Специфікація пристрою DHS055N85.pdf
180A 100V N-канальний режим підвищення потужності MOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 ДО-220С 100В 180А Пристрій+DHS035N10&DHS035N10E+Специфікація+Ред.1.0 (1).pdf
160A 650V Напівмостовий модуль IGBTModule DGA160H65M2T 34 мм DGA160H65M2T 34 мм 650В 160А DGA160H65M2T.pdf
Епітаксіальний кремнієвий транзистор NPN MJD127 TO-252 MJD127 ТО-252 -100В -5А 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
F7N70/B7N70/D7N70
1200 В/16 мОм/110 A SiC MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 ТО-247 1200В 110А Donghai_DCC016M120G3_datasheet_V1.0.pdf
F4N70/B4N70/D4N70
116A 68V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH070N07 ДО-220С 70В 100А Donghai_DH070N07(T0F)_Datasheet_V1.0.pdf
40A 1200V Напівмостовий модуль IGBTModule DGA40H120M2T 34 мм DGA40H120M2T 34 мм 1200В 40А DGA40H120M2T-REV1.0.pdf

Відео продукту

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Підпишіться на нашу розсилку
  • готуйтеся до майбутнього,
    підпишіться на нашу розсилку, щоб отримувати оновлення прямо у свою поштову скриньку
    Надіслати
Авторське право © 2023​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com