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Série TRIAC 600V/800V 4A BT134-600E TO-126 BT134-600E TO-126 600V/800V 4A 英文版BT134-126技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 30A 60V DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60V 30A Spécification de l'appareil DHZ24B31.pdf
MOSFET de puissance F740 TO-220F, Mode d'amélioration du canal N, 10A, 400V F740 TO-220F 400V 10A Spécification de l'appareil 740.pdf
Diode SchottkyBarrier 20A 100V MBR20100CT TO-252 MBR20100CT TO-252 100V 20A Fichier MBR20100CT.pdf
MOSFET SiC 1200V/16mΩ/110A DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200V 110A Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 14A 650V 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650V 14A Lire la suite 14N65技术规格书AY3(1).pdf
MOSFET de puissance en Mode d'amélioration du canal N 18A 500V 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 180A 80V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80V 180A Spécification de l'appareil DH8004 (2).pdf
 MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 110A 100V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100V 110A Spécification de l'appareil DHS052N10.pdf
Paquet TIP122 TO-220M de transistor de silicium épitaxial NPN CONSEIL127 TO-220M -100V -5A 英文版TIP127MJD127技术规格书.pdf
Paquet TIP122 TO-220M de transistor de silicium épitaxial NPN CONSEIL122 TO-220M 100V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 120A 85V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A Appareil DHS045N88 Spécification-Rev.1.0.pdf
4N65/F4N65/B4N65/D4N65
-30A -100V Mode d'amélioration du canal P MOSFET de puissance DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30A Spécifications de l'appareil DH100P30CB1Q.pdf
 MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 68A 100V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 120A 85V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A Appareil DHS045N88 Spécification-Rev.1.0.pdf
Module demi-pont 100A 650V, module IGBT DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34mm 650V 100A DGA100H65M2T.pdf
Transistor bipolaire à porte isolée DHG20T65D TO-220F, 18A 650V DHG20T65D TO-220F 650V 18A Spécification de l'appareil DHG20T65D (TO-220F).pdf
 MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 110A 100V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A Spécification de l'appareil DHS052N10.pdf
 MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N 110A 100V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Spécification de l'appareil DHS052N10.pdf

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