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Transistor bipolaire à porte isolée DHG20T65D TO-220F, 18A 650V

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Transistor bipolaire à porte isolée DHG20T65D TO-220F, 18A 650V

Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre des performances de conduction et de commutation supérieures, une robustesse élevée en cas d'avalanche et un fonctionnement parallèle facile.

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Modèle:
DHG20T65D
Marque:
WXDH
Emballer:
TO-220F
Fiche de données:
Spécification de l'appareil DHG20T65D (TO-220F).pdf
V :
650V
UN:
18A

1 Descriptif

Utilisant la conception de tranchée exclusive de DongHai et la technologie FS avancée, l'IGBT FS 650 V offre des performances de conduction et de commutation supérieures, une robustesse élevée aux avalanches et un fonctionnement parallèle facile.

Caractéristiques:

 Technologie de tranchée FS, coefficient de température positif

 Faible tension de saturation : VCE(sat), typ = 1,8V @ IC =18A et TC = 25°C

 Capacité d'avalanche extrêmement améliorée

Vces	Vcésat	IC
650V	1,8 V	18A

IGBT

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