未命名 (1) (8) (1)
капија
Јиангсу Донгхаи Семицондуцтор Цо, Лтд
Ви сте овде: Дом » Производи » Мосфет » 400В-1500В Н МОС » 18А 650В изоловани капија биполарног транзистора ДХГ20Т65Д до-220Ф

утоваривање

Поделите на:
Дугме за дељење Фацебоока
Дугме за дељење Твиттера
Дугме за дељење линија
Дугме за дељење Вецхат-а
Дугме за дељење ЛинкедИн
Дугме за дељење Пинтерест
Дугме за дељење ВхатсАпп
Дугме за дељење СхареТхис

18А 650В Изоловани капија биполарног транзистора ДХГ20Т65Д до-220Ф

Коришћење Донгхаијевог власничког дизајна ровова и напредне ФС технологије, 650В ФС ИГБТ нуди врхунске проводне и пребацивање перформанси, високу лавину робусности и лаког паралелног
расположивости:
количина:
Распитивати се Додај у корпу

18А 650В Изоловани капија биполарног транзистора ДХГ20Т65Д до-220Ф

1 опис 


Користећи Донгхаи-ов власнички дизајн ровова и напредне ФС технологије, 650В ФС ИГБТ нуди врхунске проводљивости и пребацивање перформанси, високу аванску борбу и лако паралелну операцију. 


Карактеристике: 

 ФС Тренцх технологија, позитивни коефицијент температуре 

 Напон ниског засићења: ВЦЕ (САТ), тип = 1.8В @ иЦ = 18А и ТЦ = 25 ° Ц 

 Изузетно побољшана способност лавине



ВЦЕС ВЦЕСАТ Иц
650В 1.8В 18а


преузети Спецификација уређаја ДХГ50Т65Д (ТО-3ПН) .пдф

Претходно: 
Следећи: 
Игбт
  • Јиангсу Донгхаи Семицондуцтор Цо, Лтд
  • Пријавите се за наш билтен
  • Припремите се за будућност
    за нашу билтен да бисте добили ажурирања директно на ваш примљени оквир
    Поднети
Цопиригхт © 2023Јиангсу Донгхаи Семицондуцтор Цо, Лтд Тецхнологи Леадонг.цом