Transistor lưỡng cực có cổng cách điện 18A 650V DHG20T65D TO-220F
1 Mô tả
Sử dụng thiết kế Trench độc quyền của DongHai và công nghệ FS tiên tiến, IGBT 650V FS mang lại hiệu suất dẫn và chuyển mạch vượt trội, độ chắc chắn cao khi có tuyết lở và vận hành song song dễ dàng.
Đặc trưng:
Công nghệ FS Trench, Hệ số nhiệt độ dương
Điện áp bão hòa thấp: VCE(sat), typ = 1.8V @ IC =18A và TC = 25°C
Khả năng tuyết lở được nâng cao cực kỳ
| Vces |
Vcesat |
Ic |
| 650V |
1.8V |
18A |