MOSFET SiC 1200V/16mΩ/110A DCCF016M120G3 TO-247-4L

MOSFET SiC 1 200 V/16 mΩ/110 A

1 Descriptif 

Cette famille de produits offre des performances de pointe. Il est conçu pour les applications haute fréquence où un rendement et une fiabilité élevés sont requis. 

2 Caractéristiques 

• Efficacité du système supérieure 

• Besoins de refroidissement réduits 

• Température de fonctionnement de 175 ℃ 

• Densité de puissance accrue 

• Augmentation de la fréquence de commutation du système

3 candidatures 

● Onduleurs solaires et UPS

● Alimentations

● Convertisseurs DC/DC haute tension

● Alimentations à découpage

● Applications de puissance pulsée

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT	Vème
1200V	16 mΩ	110A	2,5V