1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET
1 תיאור
משפחת מוצרים זו מציעה ביצועים מתקדמים. הוא מיועד ליישומים בתדר גבוה שבהם נדרשות יעילות גבוהה ואמינות גבוהה.
2 תכונות
• יעילות מערכת גבוהה יותר
• דרישות קירור מופחתות
• טמפרטורת פעולה של 175℃
• צפיפות כוח מוגברת
• תדירות מיתוג מערכת מוגברת
3 יישומים
● ממירי שמש ו-UPS
● ספקי כוח
● ממירי DC/DC במתח גבוה
● ספקי כוח במצב Switch Mode
● יישומי Power Pulsed
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
תְעוּדַת זֶהוּת |
החמישי |
| 1200V |
16mΩ |
110A |
2.5V |