MOSFET SiC 1200 V/16 mΩ/110 A DCCF016M120G3 TO-247-4L

MOSFET SiC da 1200 V/16 mΩ/110 A

1 Descrizione 

Questa famiglia di prodotti offre prestazioni all'avanguardia. È progettato per applicazioni ad alta frequenza dove sono richieste alta efficienza e alta affidabilità. 

2 Caratteristiche 

• Maggiore efficienza del sistema 

• Requisiti di raffreddamento ridotti 

• Temperatura operativa 175℃ 

• Maggiore densità di potenza 

• Maggiore frequenza di commutazione del sistema

3 applicazioni 

● Invertitori solari e UPS

● Alimentatori

● Convertitori CC/CC ad alta tensione

● Alimentatori a commutazione

● Applicazioni di potenza pulsata

VDSS	RDS(acceso)(TIPO)	ID	Vth
1200 V	16 mΩ	110A	2,5 V