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TRIAC-Serie 600V/800V 4A BT134-600E TO-126 BT134-600E TO-126 600V/800V 4A 英文版BT134-126术规格书.pdf
30 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHDZ24 TO-252B DHDZ24 TO-252B 60V 30A Gerätespezifikation DHZ24B31.pdf
10 A 400 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET F740 TO-220F F740 TO-220F 400V 10A Spezifikation des Geräts 740.pdf
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-252 MBR20100CT TO-252 100V 20A Laden Sie die Datei „MBR20100CT“ im PDF-Format herunter
1200 V/16 mΩ/110 A SiC-MOSFET DCCF016M120G3 TO-247-4L DCCF016M120G3 TO-247-4L 1200V 110A Donghai_DCCF016M120G3_datasheet_V1.0(1).pdf
14A 650V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 14N65 TO-220C 14N65 TO-220C 650V 14A 英文版14N65术规格书AY3(1).pdf
18A 500V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 18N50D TO-3PN 18N50D TO-3PN 500V 18A 英文版18N50D技术规格书.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 180 A 80 V DHE8004 TO-263 DHE8004 TO-263 80V 180A Gerätespezifikation DH8004 (2).pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 110 A 100 V DHS052N10E TO-263 DHS052N10E TO-263 100V 110A Gerätespezifikation DHS052N10.pdf
NPN-Epitaxial-Siliziumtransistor TIP122 TO-220M-Gehäuse TIPP127 TO-220M -100V -5A 英文版TIP127MJD127术规格书.pdf
NPN-Epitaxial-Siliziumtransistor TIP122 TO-220M-Gehäuse TIPP122 TO-220M 100V 5A 英文版TIP122MJD122术规格书.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 120 A 85 V DHS045N88D TO-252B DHS045N88 TO-220C 85V 120A Gerätespezifikation DHS045N88-Rev.1.0.pdf
4N65/F4N65/B4N65/D4N65
-30A -100V P-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DH100P30CD TO-252B DH100P30CD TO-252B -100V -30A Gerätespezifikation DH100P30CB1Q.pdf
N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 68 A 100 V DH140N10F TO-220F DH140N10F TO-220F 100V 68A Donghai_DH140N10B&DH140N10D_Datasheet_V1.0.pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 120 A 85 V DHS045N88E TO-263 DHS045N88E TO-263 85V 120A Gerätespezifikation DHS045N88-Rev.1.0.pdf
100A 650V Halbbrückenmodul IGBT-Modul DGA100H65M2T 34mm DGA100H65M2T 34mm 650V 100A DGA100H65M2T.pdf
18A 650V Bipolartransistor mit isoliertem Gate DHG20T65D TO-220F DHG20T65D TO-220F 650V 18A Gerätespezifikation DHG20T65D (TO-220F).pdf
N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 110 A 100 V DHS052N10D TO-252B DHS052N10D TO-252B 100V 110A Gerätespezifikation DHS052N10.pdf
N-Kanal-Verstärkungsmodus-Leistungs-MOSFET 110 A 100 V DHS052N10F TO-220F DHS052N10F TO-220F 100V 110A Gerätespezifikation DHS052N10.pdf

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