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N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 180A 80V DHE8004 TO-263

N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 180A 80V
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N-Kanal-Verbesserungsmodus Power MOSFET 180A 80V


1 Beschreibung 

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Gräbertechnologiedesign und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten

● Niedrig des Widerstands

● Ladung mit niedriger Gate 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen 

● Stromversorgung wechseln

● DC-DC-Konverter 

● Elektrowerkzeugsteuerung 

● Anwendungen zur Kfz -Elektronik


VDS RDS (on) Typ. AUSWEIS
80V 2,8 mΩ 180a


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