N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263

N-Channel-Verbesserungsmodus Power MOSFET 110A 100V

1 Beschreibung

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und boten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale

● schnelles Umschalten 

● Niedrig des Widerstands 

● Ladung mit niedriger Gate 

● hoher Lawinenstrom 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen

● Synchrone Korrektur in SMPs

● Hartschalter und Hochgeschwindigkeitskreislauf

● Elektrowerkzeuge

● ups 

● Motorsteuerung