N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 110 A 100 V DHS052N10E TO-263

N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 110 A 100 V

1 Beschreibung

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Hoher Lawinenstrom 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen

● Synchrongleichrichtung in SMPS

● Hartes Schalten und Hochgeschwindigkeitsschaltung

● Elektrowerkzeuge

● USV 

● Motorsteuerung

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
100V	5,1 mΩ	110A