Modo de mejora de canal N MOSFET de potencia 110A 100V DHS052N10E TO-263

Modo de mejora de canal N Potencia MOSFET 110A 100V

1 Descripción

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño avanzado de tecnología de zanja de puerta dividida, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Cambio rápido 

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Alta corriente de avalancha 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa. 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones

● Rectificación síncrona en SMPS

● Conmutación dura y circuito de alta velocidad

● herramientas eléctricas

● SAI 

● Control de motores

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
100V	5,1 mΩ	110A