N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V DHS052N10E TO-263

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET 110A 100V

1 Նկարագրություն

Այս N-ալիքի ընդլայնման ռեժիմի հոսանքի մոսֆետները օգտագործում էին առաջադեմ ճեղքված դարպասի խրամուղիների տեխնոլոգիայի նախագծում՝ ապահովելով գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 

2 Հատկանիշներ

● Արագ միացում 

● Ցածր դիմադրություն 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում 

● Ձնահոսքի բարձր հոսանք 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություններ 

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում 

● 100% ΔVDS թեստ 

3 Դիմումներ

● Սինխրոն ուղղում SMPS-ում

● Կոշտ անջատում և բարձր արագությամբ միացում

● Էլեկտրական գործիքներ

● UPS 

● Շարժիչի կառավարում

VDSS	RDS(միացված)(TYP)	ID
100 Վ	5,1 mΩ	110 Ա