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30 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET DHDZ24 TO-252B

30 A 60 V N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus
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30 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung 


Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus nutzten ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und sorgten für einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Schnelles Umschalten 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test


3 Anwendungen 

● Leistungsschaltanwendungen

● DC-DC-Wandler 

● Vollständige Brückenkontrolle

VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
60V 24mΩ 30A


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30 A 60 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET
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