MOSFET de potencia del modo de mejora del canal N de 30A 60V DHDZ24 TO-252B

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 30 A y 60 V

1 Descripción 

Estos mosfets de potencia en modo de mejora de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características

● Baja resistencia 

● Cargo de puerta bajo 

● Cambio rápido 

● Bajas capacitancias de transferencia inversa.

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100% 

● Prueba 100% ΔVDS

3 aplicaciones 

● Aplicaciones de conmutación de energía

● Convertidores CC-CC 

● Control total del puente

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
60V	24mΩ	30A