30A 60V N-kanal Enhancement Mode Power MOSFET
1 Beskrivelse
Disse N-kanals forstærkningstilstande power-mosfets brugte avanceret trench-teknologi design, gav fremragende Rdson og lav gate-opladning. Hvilket er i overensstemmelse med RoHS-standarden.
2 funktioner
● Lav modstand
● Lav portladning
● Hurtigt skifte
● Lave omvendte overførselskapacitanser
● 100 % enkeltpuls lavineenergitest
● 100 % ΔVDS-test
3 Ansøgninger
● Strømskifteapplikationer
● DC-DC omformere
● Fuld kontrol over broen
| VDSS |
RDS(on)(TYP) |
ID |
| 60V |
24mΩ |
30A |