N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 120 A 85 V DHS045N88D TO-252B

N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET 120 A 85 V

1 Beschreibung 

Diese Leistungs-MOSFETs im N-Kanal-Anreicherungsmodus verwenden ein fortschrittliches Split-Gate-Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Hoher Lawinenstrom 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Synchrongleichrichtung in SMPS 

● Hartes Schalten und Hochgeschwindigkeitsschaltung 

● Elektrowerkzeuge 

● USV 

● Motorsteuerung

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
85V	4,6 mΩ	120A