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江蘇東海半導体有限公司
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9A 900V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 9N90B TO-247 9N90B TO-247 900V 9A 和訳版9N90B技術术规格书REV1.0(1).pdf
75A 100V PチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DH100P70 TO-220C 100V 80A デバイス DH100P70 仕様.pdf
105A 68V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DHS055N07D TO-252B DHS055N07D TO-252B 68V 95A 東海+DHS055N07B&DHS055N07D+データシート+V2.0 .pdf
68A 1200V NチャンネルSICパワーMOSFET DCC040M170G2 TO-247-3 1700V 67A 東海_DCC040M170G2_データシート_V1.0(1).pdf
36A 1200V N チャネル SIC パワー MOSFET DCC080M120A TO-247-3L DCC080M170G2 TO-247 1700V 37A 東海_DCC080M170G2_データシート_V1.0.pdf
238A 60V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DH026N06E TO-263 DH026N06E TO-263 60V 238A デバイス DH026N06 仕様.pdf
80A 68V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DH072N07E TO-263 DH072N07E TO-263 68V 80A デバイス DH072N07 仕様.pdf
F8N70
30A 100V ショットキーバリアダイオード TO-220F MBRF30100CT MBRF30100CT TO-220F 100V 30A 和訳版MBRF30100CT技術术规格书REV1.1.pdf
80A 68V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DH072N07D TO-252B DH072N07D TO-252B 68V 80A デバイス DH072N07 仕様.pdf
100A 30V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DH033N03D TO-252B DH033N03D TO-252B 30V 100A デバイス DH033N03 仕様(1).pdf
110A 85V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DHS055N85E TO-263 DHS055N85E TO-263 85V 110A デバイス DHS055N85 仕様.pdf
180A 100V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DHS035N10 TO-220 DHS035N10 TO-220C 100V 180A デバイス+DHS035N10&DHS035N10E+仕様+Rev.1.0 (1).pdf
160A 650V ハーフブリッジモジュール IGBTModule DGA160H65M2T 34mm DGA160H65M2T 34mm 650V 160A DGA160H65M2T.pdf
NPN エピタキシャル シリコン トランジスタ MJD127 TO-252 パッケージ MJD127 TO-252 -100V -5A 和訳版TIP127MJD127技術术规格书.pdf
F7N70/B7N70/D7N70
1200V/16mΩ/110A SiC MOSFET DCC016M120G3 TO-247 DCC016M120G3 TO-247 1200V 110A 東海_DCC016M120G3_データシート_V1.0.pdf
F4N70/B4N70/D4N70
116A 68V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DH070N07 TO-220C 70V 100A 東海_DH070N07(T0F)_データシート_V1.0.pdf
40A 1200V ハーフブリッジモジュール IGBTModule DGA40H120M2T 34mm DGA40H120M2T 34mm 1200V 40A DGA40H120M2T-REV1.0.pdf

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