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江蘇東海半導体有限公司
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180A 85V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DSD040N08N3A TO-252B DSD040N08N3A TO-252B 85V 180A デバイス+DSD040N08N3A+仕様+Rev.1.0.pdf
18A 500V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 18N50 TO-220C 18N50 TO-220C 500V 18A 和訳版18N50技術术规格书.pdf
500V/3A ハーフブリッジ IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MFN ESOP-9 500V 7A 東海_DPQB07HB50MFN_データシート_V1.0.pdf
500V/3A ハーフブリッジ IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MFN ESOP-9 500V 3A 東海_DPQB03HB50MFN_データシート_V1.0.pdf
2A 600V N チャネルエンハンスメントモードパワー MOSFET F2N60 TO-220F F2N60 TO-220F 600V 2A
NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET 120A 100V DH10H035R TO-220C DH10H035R TO-220C 100V 120A デバイス DH10H035R 仕様.pdf
5A 500V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET B5N50 TO-251B B5N50 TO-251B 500V 5A デバイス D5N50&B5N50 仕様.pdf
5A 500V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET MOSFET D5N50 TO-252B D5N50 TO-252B 500V 5A デバイス D5N50&B5N50 仕様.pdf
500V/3A ハーフブリッジ IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB05HB50MFN ESOP-9 500V 5A 東海_DPQB05HB50MFN_データシート_V1.0.pdf
18N50/F18N50/18N50D
500V/3A ハーフブリッジ IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MF ESOP-9 500V 4A 東海_DPQB04HB50MF_データシート_V1.0.pdf
220A 20V NチャンネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DH009N02P DFN5*6-8 DH009N02P DFN5*6-8 20V 220A デバイス DH009N02P 仕様.pdf
500V/3A ハーフブリッジ IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB04HB50MFN ESOP-9 500V 4A 東海_DPQB04HB50MFN_データシート_V1.0.pdf
200V/11mΩ/110A N-MOSFET DSN108N20N TO-3PN DSN108N20N TO-3PN 200V 110A 東海_DSN108N20N_データシート_V1.0.pdf
500V/3A ハーフブリッジ IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB03HB50MF ESOP-9 500V 3A 東海_DPQB03HB50MF_データシート_V1.0.pdf
10A 150V ショットキーバリアダイオード MBR10150CT TO-263 MBR10150CT TO-263 150V 10A MBR10150CT技術规格书.pdf
40A 150V ショットキーバリアダイオード MBR40150CT TO-263 MBR40150CT TO-263 150V 40A 和訳版MBR40150CT技術术规格书.pdf
500V/3A ハーフブリッジ IPM DPQB03HB50MF ESOP-9 DPQB07HB50MF ESOP-9 500V 7A 東海_DPQB07HB50MF_データシート_V1.0.pdf
13N50AH1/F13N50AH1/I13N50AH1/E13N50AH1
320A 20V NチャネルエンハンスメントモードパワーMOSFET DH009N02U

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