4n60/f4n60/b4n60/d4n60

4A 600V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1説明

これらのシリコンNチャネル強化VDMOSFETSは、自己整合した平面技術によって取得され、

伝導の損失、スイッチングパフォーマンスを改善し、雪崩エネルギーを強化します。 ROHS標準と一致しています。

2つの機能

●高速スイッチング

●ESDは機能を改善しました

●抵抗が少ない（RDSON以下2.5Ω）

●低ゲートチャージ（型：14.5NC）

●低い逆転送容量（typ：4pf）

●100％単一パルス雪崩エネルギーテスト

●100％ΔVDSテスト

3つのアプリケーション

●システムの小型化とより高い効率のために、さまざまな電源スイッチング回路で使用されます。

●アダプターと充電器の電源スイッチ回路。