4N60/F4N60/B4N60/D4N60

4A 600V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese Silizium-N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erhalten, die die reduziert

Leitungsverlust, verbessern die Schaltleistung und erhöhen die Lawinenenergie. Was dem RoHS-Standard entspricht.

2 Funktionen

● Schnelles Umschalten

● ESD-verbesserte Fähigkeit

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤2,5Ω)

● Geringe Gate-Ladung (typisch: 14,5 nC)

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 4 pF)

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest

● 100 % ΔVDS-Test

3 Anwendungen

● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höherPAKET direkt zu einem niedrigen Preis und in hoher Qualität.

● Netzschalterschaltung von Adapter und Ladegerät.

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
600V	2,1 Ω	4A