brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty
Model:
Balíček:
V:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ RADY:

Všetky produkty

Obrázok Model Balenie V A Technický list Podrobnosti Dopyt Pridať do košíka
400A 650V modul polovičného mostíka IGBTMmodul DGD400H65M2T EconoDUAL3 BALENIE DGD400H65M2T EconoDUAL3 650 V 400A DGD400H65M2T REV1.0.pdf
450A 1200V Modul polovičného mostíka IGBTMmodul DGD450H120L2T EconoDUAL3 BALENIE DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200V 450A DGD450H120L2TREV1.1.pdf
10A 400V Dióda rýchlej obnovy MUR1040 TO-220-2L MUR1040 TO-220-2L 400 V 10A 英文版MUR1040技术规格书.pdf
8A 500V N-channel režim vylepšenia napájania MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 TO-251 500 V 8A
50A 120V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Špecifikácia zariadenia DH150N12.pdf
P-kanál Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100 V 30A
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-252 MJD122 TO-252 100 V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
40A 100V SchottkyBarrierDiode MBR40100CT TO-220C MBR40100CT TO-220C 100 V 40A 英文版MBR40100CT技术规格书REV1.0.pdf
40A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30 V 40A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
47A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100 V 47A Špecifikácia zariadenia DH135N10P.pdf
12A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100 V 12A Špecifikácia zariadenia DH850N10D (1).pdf
 Rýchla obnovovacia dióda 8A 600V MUR860 TO-220-2L MUR860 TO-220-2L 600 V 8A 英文版MUR860技术规格书220-2L.pdf
140A 40V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40 V 140A Špecifikácia zariadenia DHP035N04.pdf
Rýchla obnovovacia dióda 60A 300V MUR6030DCS TO-3P MUR6030DCS TO-3P 300 V 60A 英文版 MUR6030DCS技术规格书.pdf
500V/5A polovičný mostík IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500 V 5A Donghai_DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
450A 1200V Modul polovičného mostíka IGBTMmodul DGB450H120L2T 62mm DGB450H120L2T 62 mm 1200V 450A DGB450H120L2T-REV1.1.pdf
25A 100V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30 V 150A Zariadenie DH025N03 Špecifikácia.pdf
7N65/F7N65/B7N65/D7N65
120A 30V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30 V 120A Špecifikácia zariadenia DH025N03P(1)(1).pdf
60A 68V N-kanálový režim vylepšenia napájania MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70 V 56A Donghai_DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf

Video o produkte

  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúce,
    prihláste sa na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty