未命名(1)(8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
VYBRANÉ PRODUKTOVÉ ŘADY:

Všechny produkty

Obrázek Model Balení V A Technický list Podrobnosti Poptávka Přidat do košíku
400A 650V Modul polovičního můstku IGBTMmodul DGD400H65M2T EconoDUAL3 BALENÍ DGD400H65M2T EconoDUAL3 650V 400A DGD400H65M2T REV1.0.pdf
450A 1200V Modul polovičního můstku IGBTMmodul DGD450H120L2T EconoDUAL3 BALENÍ DGD450H120L2T EconoDUAL3 1200V 450A DGD450H120L2TREV1.1.pdf
10A 400V Rychlá obnovovací dioda MUR1040 TO-220-2L MUR1040 TO-220-2L 400V 10A 英文版MUR1040技术规格书.pdf
8A 500V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET B8N50 TO-251 B8N50 TO-251 500V 8A
50A 120V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH150N12D TO-252B DH150N12D TO-252B 120V 50A Specifikace zařízení DH150N12.pdf
P-channel Enhancement Mode Power MOSFET 30A 100V DH100P30AB TO-251B DH100P30AB TO-251B 100V 30A
20A 100V SchottkyBarrierDiode MBR20100CT TO-252 MJD122 TO-252 100V 5A 英文版TIP122MJD122技术规格书.pdf
40A 100V SchottkyBarrierDiode MBR40100CT TO-220C MBR40100CT TO-220C 100V 40A 英文版MBR40100CT技术规格书REV1.0.pdf
40A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DHD80N03 TO-252B DHD80N03 TO-252B 30V 40A Donghai_DHD80N03_Datasheet_V3.0.pdf
47A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH135N10P DFN5X6 DH135N10P DFN5X6 100V 47A Specifikace zařízení DH135N10P.pdf
12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET DH850N10D TO-252B DH850N10D TO-252B 100V 12A Specifikace zařízení DH850N10D (1).pdf
Rychlá obnovovací dioda 8A 600V MUR860 TO-220-2L MUR860 TO-220-2L 600V 8A 英文版MUR860技术规格书220-2L.pdf
140A 40V N-kanálový režim vylepšení výkonu MOSFET DHP035N04 DFN5X6-8L DHP035N04 DFN5x6-8L 40V 140A Specifikace zařízení DHP035N04.pdf
Rychlá obnovovací dioda 60A 300V MUR6030DCS TO-3P MUR6030DCS TO-3P 300V 60A 英文版 MUR6030DCS技术规格书.pdf
500V/5A Half-Bridge IPM DPQA05HB50MF SOP-11 DPQA05HB50MF SOP-11 500V 5A Donghai_DPQA05HB50MF_datasheet_V1.0.pdf
450A 1200V Modul polovičního můstku IGBTMmodul DGB450H120L2T 62mm DGB450H120L2T 62 mm 1200V 450A DGB450H120L2T-REV1.1.pdf
25A 100V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET 25N10 TO-220C DH025N03 TO-220C 30V 150A Specifikace zařízení DH025N03.pdf
7N65/F7N65/B7N65/D7N65
120A 30V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH025N03P DFN5*6 DH025N03P DFN5X6 30V 120A Specifikace zařízení DH025N03P(1)(1).pdf
60A 68V N-kanálový režim Enhancement Mode Power MOSFET DH105N07P DFN5*6-8 DH105N07P DFN5*6-8 70V 56A Donghai_DH105N07P_Datasheet_V1.0 (1).pdf

Video o produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Přihlaste se k odběru našeho newsletteru
  • připravte se na budoucí
    přihlášení k odběru našeho newsletteru, abyste dostávali aktualizace přímo do vaší schránky
    Předložit
Copyright © 2023​​​​​​​ Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com