未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty
Model:
Balík:
PROTI:
A:
Vybrané produktové řady:

Všechny produkty

obrázku modelu Balíček V a o datovém listu podrobnosti dotaz Přidat do koše
80a 40V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DH065N04D TO-252B DH065N04D TO-252B 40V 80a Zařízení DH065N04 Specifikace.pdf
Sic Schottky Barier Diode 10A 650V DCGT10D65G4 TO-220-2L DCGT10D65G4 TO-220-2L 650V 10a Zařízení DCGT10D65G4 Specification.pdf
120a 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH065N06/DH065N06E/DH065N06D/DH065N06P DH065N06 TO-220C 60V 120a Zařízení+DH065N06+Specifikace+Rev.2.0.pdf
250a 40V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH019N04 TO-220C DH019N04 TO-220C 40V 250a Zařízení DH019N04 Specifikace.pdf
10A 650V SIC SCHOTTKY BARIER DIOD DCD10D65G4 TO-252B 650V 10a Zařízení DCD10D65G4 Specification.pdf
8A 650V SIC SCHOTTKY BARIER DIODE DCGT08D65G4 TO-220-2L DCGT08D65G4 TO-220-2L 650V 8a Zařízení DCGT08D65G4 Specification.pdf
Sic Schottky Barier Diode 10A 650V DCE10D65G4 TO-263 650V 10a Zařízení DCE10D65G4 Specifikace.pdf
33a 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH240N06LD TO-252B DH240N06LD TO-252B 60V 33a Zařízení DH240N06L Specifikace Rev.2.0.pdf
10A 1200V SIC SCHOTTKY BARIER DIOD DCD10D120G4 / DCCT10D120G4 / DCET10D120G4
116a 68V N-kanálový režim vylepšení napájení MOSFET DH070N06 TO-220C 60V 88a Specifikace zařízení DH070N06 (2) .pdf
Režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET 180A 40V DHS020N04 TO-220C DHS020N04 TO-220C 40V 180a Zařízení DHS020N04 Specifikace.pdf
240A 60V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS022N06 TO-220C DHS022N06 TO-220C 60V 180a Donghai+DHS022N06 & DHS022N06E+Datasheet+V2.0.pdf
170a 100v n-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DSE028N10N3 TO-263 DSE028N10N3 TO-263 100v 170a DSG030N10N3 & DSE028N10N3_DATASHEET_V1.0.pdf
160a 30V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DH020N03P 5X6-8 DH020N03P DFN5X6 30v 160a Zařízení DH020N03P Specification.pdf
105a 68V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DHS055N07 TO-220C DHS055N07 TO-220C 68v 105a Donghai+DHS055N07 & DHS055N07E+Datasheet+V2.0 .pdf
80a 60V režim vylepšení n-kanálu Power MOSFET DATD063N06N TO-252B Datd063n06n TO-252B 60V 80a Zařízení+datd063n06n+specifikace Rev.1.0.pdf
310A 20V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH009N02 TO-220C DH009N02 TO-220C 20V 310a Zařízení DH009N02 Specification.pdf
100A 85V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH85N08 TO-220C DH85N08 TO-220C 85v 100a Zařízení DH85N08 Specifikace.pdf
60a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH081N03D TO-252B DH081N03D TO-252B 30v 60a Zařízení DH081N03 Specifikace.pdf
100A 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH012N03P DFN5*6 DH012N03P DFN5X6 30v 100a Dh012nn03p_datasheet_v2.0.pdf

Video produktu

  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com